长鑫存储

长鑫 G5 DRAM 一公布 11.95nm，网上马上出现两种声音：一种说已经追平国际大厂，另一种说只是把数字包装得好看。两边都太急了。DRAM 制程不是百米赛跑，不能只看谁的「纳米数」比较小；真正决定竞争力的，还有良率、成本、产量和能卖进什么产品。

所以，长鑫到底落后几代？先给结论：若按照公开的节点进度看，长鑫 G5 与三星、SK 海力士、美光最先进的量产节点，大约相差一个节点标签。但这个「一代」只适合描述技术位置，不能代表商业能力也只差一代。

长鑫 G5 DRAM 的 11.95nm 到底代表什么

长鑫存储（CXMT）在 2026 年 9 月 20 日宣布，第五代 DRAM 技术平台 G5 已经量产，同时展示两款基于该平台的 24Gb LPDDR5X 产品。官方披露的关键数字，是内存阵列有源区半间距（Half AA pitch）缩小至 11.95nm。

「有源区」可以理解为 DRAM 单元里参与电气工作的关键区域，half-pitch 则是衡量重复微细结构密度的一种指标。数字越小，通常代表相同面积有机会塞进更多记忆单元。长鑫还披露电容深宽比达到。。。 继续阅读